2sk810是N沟道场效应管(绝缘栅型),耗散功率(PD):60 W,漏极电流(ID):14 A,漏极和源极电压(VDSS):100 V,封装:4-164。场效应晶体管属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10^8~10^9Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。场效应管是电压控制器件
2sk810是N沟道场效应管(绝缘栅型),耗散功率(PD):60 W,漏极电流(ID):14 A,漏极和源极电压(VDSS):100 V,封装:4-164。场效应晶体管属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10^8~10^9Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。场效应管是电压控制器件